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खरबूजे (सिट्रुलस कोलोसिन्थिस एल) के बीज के कुछ विद्युत गुण

बुरुबाई डब्ल्यू

इस कार्य में, खरबूजे (सिट्रुलस कोलोसिंथिस एल) के कुछ विद्युत गुणों की जांच, नमी की मात्रा और आवृत्ति भिन्नताओं के आधार पर, समानांतर-प्लेट कैपेसिटेंस तकनीक का उपयोग करके की गई। परिणाम दर्शाते हैं कि खरबूजे के बीज का विद्युत प्रतिरोध, चालकता, परावैद्युत स्थिरांक, हानि कारक, हानि स्पर्शरेखा और कैपेसिटेंस, एक वैकल्पिक विद्युत क्षेत्र में नमी और आवृत्ति भिन्नताओं से काफी प्रभावित थे। यह देखा गया कि 9.12% से 32.0% डीबी के संगत नमी स्तरों के लिए विद्युत प्रतिरोध 70.30 Ω से घटकर 16.53 Ω हो गया। इसके विपरीत, 9.12% से 20.42% डीबी नमी स्तरों पर क्रमशः कैपेसिटेंस 0.308 pF से बढ़कर 0.740 pF हो गया और 32.0% डीबी नमी सामग्री पर घटकर 0.332 pF हो गया। 9.12% से 32.0% डीबी तक नमी में संगत वृद्धि के लिए परावैद्युत स्थिरांक और हानि कारक मान दोनों 0.130 से 2.58 और 17.52 से 88.69 तक बढ़ गए। इसके विपरीत, आवृत्ति मानों में वृद्धि के साथ परावैद्युत स्थिरांक और हानि कारक मानों में कमी देखी गई।

अस्वीकृति: इस सारांश का अनुवाद कृत्रिम बुद्धिमत्ता उपकरणों का उपयोग करके किया गया है और इसे अभी तक समीक्षा या सत्यापित नहीं किया गया है।