गोबिंद दास, मनोला मोरेटी, ब्रूनो टोरे, मार्को एलियोन, एंड्रिया गिउगनी और एंज़ो डि फैब्रीज़ियो
इस शोधपत्र में SiO2/Si सब्सट्रेट पर ग्राफीन का उपयोग SERS डिवाइस बनाने के लिए बिल्डिंग बेस के रूप में किया गया था। ग्रेफीन पर चांदी की एक पतली फिल्म जमा की गई और 250 डिग्री सेल्सियस पर एनील किया गया। सब्सट्रेट की जांच दो अणुओं के रासायनिक अवशोषण के बाद की गई; रोडामाइन 6G जो एक फ्लोरोसेंट डाई है, और 3-मर्कैप्टोबेंजोइक एसिड, एक थियोल अणु। प्रस्तावित डिवाइस के लिए SERS वृद्धि कारक Si पर जमा किए गए फ्लैट सिल्वर सब्सट्रेट के संबंध में 2.1 × 106 होने का अनुमान है। प्रयोगात्मक परिणामों की तुलना दो तरीकों से की गई: ए) विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र गणना का उपयोग करके और बी) घनत्व फ़ंक्शन सिद्धांत से प्राप्त क्वांटम यांत्रिक गणना। प्रयोगात्मक निष्कर्ष सैद्धांतिक टिप्पणियों के अनुरूप थे।