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सेमीकंडक्टर और डाइइलेक्ट्रिक क्वांटम डॉट्स की नैनो प्रणालियों में एक्साइटोनिक क्वासिमोलेक्यूल्स

सेर्गेई आई पोकुट्नी

एक नैनोसिस्टम में एक्साइटोनिक क्वासिमोलेक्यूल्स (बाइएक्सिटॉन) (स्थानिक रूप से अलग किए गए इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों से बने) के सिद्धांत को समर्पित एक समीक्षा जिसमें एक डाइइलेक्ट्रिक मैट्रिक्स में संश्लेषित अर्धचालक और डाइइलेक्ट्रिक क्वांटम डॉट्स शामिल हैं। यह दिखाया गया है कि एक्साइटन क्वासिमोलेक्यूल्स का निर्माण थ्रेशोल्ड कैरेक्टर का है और नैनोसिस्टम में संभव है, जिसमें क्वांटम डॉट्स सतहों के बीच की दूरी एक निश्चित महत्वपूर्ण अंतर से बड़ी है। यह पाया गया कि दो अर्धचालक क्वांटम डॉट्स से मिलकर बने एक्साइटन क्वासिमोलेक्यूल्स की सिंगलट ग्राउंड अवस्था की बंधन ऊर्जा एक महत्वपूर्ण बड़े मान है, जो अर्धचालक एकल क्रिस्टल में बाइएक्सिटॉन की बंधन ऊर्जा से लगभग दो क्रम परिमाण से अधिक है।

अस्वीकृति: इस सारांश का अनुवाद कृत्रिम बुद्धिमत्ता उपकरणों का उपयोग करके किया गया है और इसे अभी तक समीक्षा या सत्यापित नहीं किया गया है।